Oxidación en semiconductores
Keywords: Oxidación en semiconductores, Circuito integrado, Crecimiento epitaxial, Deposición en semiconductores, Difusión en estado sólido, Fabricación de circuitos integrados, Física del estado sólido, Implantación iónica, Litografía
La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados.
Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad.
La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser:
Si + 2H2O ————> SiO2 + 2H2
Si + O2 ————> SiO2
La primera es la oxidación húmeda y la segunda oxidación seca, ésta crea óxido de más calidad aunque es más lenta.
Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo óxido de puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como máscara en otros procesos (implantación, difusión...), para separar dos capas de materiales conductores, etc.
Véase también
- Difusión en estado sólido
- Implantación iónica
- Deposición en semiconductores
- Litografía
- Crecimiento epitaxial
- Fabricación de circuitos integrados
- VLSI
- Física del estado sólido