Implantación iónica
Keywords: Implantación iónica, Arsénico, Boro, Crecimiento epitaxial, Deposición en semiconductores, Difusión en estado sólido, EV, Fabricación de circuitos integrados, Física del estado sólido
La implantación iónica en los semiconductores es uno de los procesos de fabricación en circuitos integrados que consiste en aumentar la energía de ciertos iones hasta varios miles de electrón-voltio (eV) para ser disparados contra la superficie del semiconductor. Estos iones recorren una distancia dentro del semiconductor antes que quedar incrustados en su estructura cristalina.
El objetivo que pretende este proceso es similar al de la difusión aunque este tiene como ventajas una mayor precisión, repetitividad y sobre todo que se realiza a una temperatura más baja. Por contra presenta una menor penetración en la oblea de semiconductor.
Las sustancias que se suelen usar en la implantación sobre el silicio son:
- P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear semiconductores tipo N.
- B (Boro) para semiconductores tipo P.
Otros procesos asociados a la implantación son
- La creación de máscaras para definir las regiones donde se implantará y en las que no.
- La parada de los iones debido a la interacción con los átomos del semiconductor.
- La canalización de los iones en la estructura cristalográfica.
Véase también
- Difusión en estado sólido
- Deposición en semiconductores
- Oxidación en semiconductores
- Litografía
- Crecimiento epitaxial
- Fabricación de circuitos integrados
- VLSI
- Física del estado sólido